hbt 就11個光罩, 難在 backside, 就是 我 2000年 碩士論文作的~ 如果 hand-carry 自己 跑完 所有的 process steps, 覺得簡單了

男生的麻煩 就是 為了 養家活口 和 小三, 必須 把 自己的 簡單到不行 的 工作 搞到 好像 可以拿 noble prize~ 男人真命苦.

-WSiN Sputter SPTTI  (就 sputter 而以, target 的 ratio, ar+, 要對, 反正, 跟 vendor ㄧ起 tune, basically, PM 時, 清機 要非常徹底, 反正, 所有的 鍍膜機台, no matter sputter, cvd, evaporator are the same, 就是 chamber 要非常乾淨, re-dep 才不會發生)

-Emitter Exposure STRPI (有expose, 就是 photo 的 process)

-WSiN Etch EEMIT (就 etch)

-Base Exposure STRPI (又是 exposure)

-Base Mesa Etch-3 MSMET (要 etch成 可 self-protect, and self-align 的 profile)

-Base Metal Evaporation EVPTI (就 evaporate, 要注意 pre-clean 到 evaporat 的時間, especially, 上 evaporator 的 dome, op 的 時間要注意, 且 dome 空的 位置 是 擺何種 dummy wafer. no matter si or gaas fab 都會 face 到 官比兵多, 小姐比wafer 多的 局面, 因此, 這個 上 dome 的 step , 其實 找 助工 比較好, 畢竟, ㄧ開始, 有很多 data 要 catch, 且 助工也要 water 機台的 狀況)

-Collector Metal Evaporation EVCTI (又 evaporate, again, 每個 run 的 清機 很重要)

-SiN Depostion CVDT1 (since topograph, hight difference 已經很大, sin 的 stress 要非常 critical, wrapage 很容易發生, 最後 realiability 有問題)

-Via-1 Etch ECONT (就 etch)

-NC Exposure STRPI (photo process )

-NiCr Evaporation EVCTI1 (evporate nicr)

-M1 Exposure STRPI

-TI/Au Evaporation EVIT1

-SiN Deposition CVDT1 (也是 stress is critical)

-Via-2 Etch ECON1

-Au Plating PLAT1 (plating 也是 ㄧ個 不同於 si cmos process) 

-Final A2 Au Thickness IONML

-Total THK Measurement CMPB1

-(Polish)

-Backside Au Plating AUPB1 (mount sapphire , demont cause a lot of issues in the other fab) 

-OQA Inspection COMQ1

 

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