dear baby, 半導體製程中, 我最喜歡的是 黃光. 我在美國作了ㄧ年的黃光process engineer, 我超會用coater, 和 aligner, 蠻有趣的, forget about 蝕刻的plasma. 微影製程包括三個主要步驟：光阻塗佈、曝光和顯影。coater主要是應用在第一階段的光阻塗佈。為了transfer pattern of ic design，整個微影製程得有以下步驟：清洗晶圓（Wafer Clean）、去水烘烤（Dehydration Bake）、塗底（Priming）和光阻旋轉塗佈（Spin Coating）、軟烤（Soft Bake）、對準(align)和曝光(expose)、顯影（Development）、顯影後檢視（adi, After Develop Inspection）以及硬烤（Hard Bake）等步驟.
1.Wafer Clean 是將晶圓上的 有機 或 無機污染物 以及 空氣中的particle 去除掉，可以增加晶圓表面的 photoresit 附著能力
2.Dehydration Bake 則是為了去除 absorbed 在晶圓表面上的水氣。經過去水烘烤的晶圓，將塗上一層用來增加光阻和晶片表面附著能力的化合物，HMDS (Hexamethyldisilazane)。~fab in-line, real production 也是如此,miss this step, photoresist develop 時,photoresist 會被掀起.
3.Spin Coating, 旋轉 pin , with 真空度 吸住wafer，當pin rotate, 就像裝飾蛋糕ㄧ樣，滴在wafer上之光阻將因離心力而往晶片外圍移動，最後形成一厚度均勻之光阻層。這光阻層之厚度與光阻劑本身粘度和旋轉速度(w)、時間有關，一般與轉速平方根成反比。
4.photoresist rpm 對時間曲線圖。一般第一階段為200~2000 rpm低轉速，目的是將光阻塗佈均勻；第二階段為3000~6000 rpm高轉速，維持15~20秒鐘，目的為控制膜厚，整個動作歷時約30~40秒。由於光阻劑內含有有機溶劑，其揮發性極強，因此旋轉加速度應夠快，以減少光阻因揮發所導致的濃度變化，才能控制光阻層之均勻性，但也不能快到使晶片因而破損。
5.Soft Bake 則是用來將wafer 上的光阻層溶劑從光阻裡驅除的步驟，使光阻由原來的液態，經過軟烤後成為固態的薄膜，並讓光阻對於晶片的附著度增加，以利後續的對準及曝光。通常溫度約控制在90到120℃，時間約1分鐘左右。
＜破陣子＞
四十年來家國，三千里地山河；
鳳閣龍樓連霄漢，至樹瓊枝作煙蘿，幾曾識干戈？
一旦歸為臣虜，沈腰潘鬢銷磨。
最是倉皇辭廟日，教坊猶奏別離歌，揮淚對宮娥。
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