Mac X-code Lab - AntoinetteOne 凡爾賽玫瑰

其實, hbt 製程 根本 不 是 art. 它的maskset 才幾道, 只要 hbt substrate 對了, 該電鍍的, 該蒸鍍的, backside holder 當然 用 sapphire 的.

 backside aligner,  demount 有點 critical, backside via etch 用 icp , 我 用 rie 作 , 非常 吃力, 還是 icp or high density plasma , with good plating.

博士 就 是 把簡單的事 搞的很複雜~  那有 屁 的 art,  substrate 決定 80% of hbt 的 yield.  hbt 是 垂直的 device, 又不是 phemt. 總是 有很多 假會 的人. 那些 博士 若那厲害, tsmc, umc and chartersemi 的 美國 選秀團 早就 把他們 挖回臺灣了. 就作 rf cmos 呀！

由於 要作 hbt 代工, 是 不能 交 " 麻子臉" 的 wafer 給客戶, so, 要有 cmos 6" fab 的 particle control 的 capability, because, particle will cause reliability issue, 像 未爆彈. 尤其 , some customers put  hbt , phemt, and rf cmos on one mcm substrate, and pack a mcm. 只有 hbt 是 麻子臉, 這時 就 不能 " 睜眼 說 瞎話“. 為何 別人 的 fab 就 沒有麻子臉. 萬ㄧ 同ㄧfab 有 交 hbt 和 phemt 的話 , 大家 通通 都是 麻子臉.

just likes si cmos process, 請不要 自作聰明 改 wet etch 的 recipe. of course, photoresist, stripper. 可以 try to change. but, gaas is not silicon.   

沒有 e-beam, 是無法作 sub-micron phemt , 請不要 “自作聰明" ～ 將帥無能 累死三軍